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NXP Semiconductors
BZB100A
Bidirectional Zener diode
7. Characteristics
Table 7. Characteristics
T j = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per device
V Z
r dif
I R
S Z
C d
working voltage
differential resistance
reverse current
temperature coef?cient
diode capacitance
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
V R = 76 V
I Z = 1 mA
f = 1 MHz;
95
-
-
-
-
-
-
-
123
-
105
700
0.05
-
10
V
?
μ A
mV/K
pF
V R = 0 V
10 3
006aab043
150
006aab044
S Z
P ZSM
(W)
(mV/K)
140
10 2
130
120
10
110
1
10 ? 5
10 ? 4
10 ? 3
10 ? 2
100
0
1
2
3
4
5
T j = 25 ° C (prior to surge)
t p (s)
T j = 25 ° C to 150 ° C
I Z (mA)
Fig 2.
Non-repetitive peak reverse power dissipation
as a function of pulse duration; maximum
Fig 3.
Temperature coef?cient as a function of
working current; typical values
values
BZB100A_2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 24 June 2008
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